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GaNデバイスの評価・設計【先端技術総合研究所】  /  三菱電機

ジョブNo.80601166
職種 GaNデバイスの評価・設計【先端技術総合研究所】
社名 三菱電機
業務内容 ■高周波デバイスにおけるGaNパッケージ(Gan-HEMT)の設計開発に携わっていただきます。■GaNは新しい技術であり、結晶の中にまだ欠陥が多く、そのためデバイス化する技術開発(シミュレーション、評価、解析)をご担当いただきます。

【業務の魅力】■電子デバイスからシステムまで幅広く携わることができ、自分で作り出したものが製品化するまで見ていくことができます。
■また、長期的なテーマに携わることで、世に出ていない材料開発の検討など、新しいことへの取り組みが可能です。■オープンイノベーションにも積極的なため、国家プロジェクトへの参画や外部の研究機関との連携など新しい知識を吸収しやすい環境があります。

【その他】
ご希望次第では、海外出張や海外留学も可能です。アメリカ、イギリス、イタリアの大学へ相談することもあります。
求める経験 【必須要件】
■半導体デバイス業界での研究開発の経験
■GaNデバイスの研究開発に携わった経験
■トランジスタの設計、特性評価、及び動作解析に係る3年以上の開発業務の経験

【歓迎要件】
■GaN高周波デバイスの開発経験
■英語力
勤務地
兵庫県
年収 450万円〜1000万円
雇用形態 正社員

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